科客點評：32GB起步，而且讀取速度更快，心動了沒？

　　盡管蘋果下一代iPhone 6s和iPhone 6s Plus還未正式發(fā)布，但是關于這兩款新機的傳聞卻不斷的傳出。雖然iPhone的設計由蘋果完全負責，但是與眾多零部件供應商的合作也是盡人皆知的事情。比如三星作為蘋果的死對頭，雖然之前各種打官司，但是依然沒有妨礙三星始終作為蘋果的主要供應商之一。

　　幾天之前，SanDisk和東芝均推出了最新一代的NAND閃存，而根據(jù)最新的消息來看，這種新閃存將很有可能被應用到蘋果將在2016年推出的iPhone 7身上，帶來更快、更大的存儲速度和空間。

　　兩家存儲巨頭開發(fā)出的世界首款256Gbit X3 48層3D NAND閃存，采用3bit/cell多值化技術，容量為32GB。簡單地說，這種32GB的閃存模塊無論是在速度還是效率上，都要超過任何現(xiàn)有的產(chǎn)品。目前，這種256Gbit X3芯片采用了15nm的工藝，比市面上最優(yōu)秀的商用閃存芯片電路密度提高了2倍、存儲速度提高4-5倍，而能耗將進一步降低。并且，因為采用了3D堆棧技術，新芯片的面積將縮小，非常適合智能手機、平板電腦之類的設備。

　　擁有如此優(yōu)秀的供應商，蘋果當然不會輕易放棄。況且之前蘋果與SanDisk、東芝已經(jīng)建立了合作伙伴關系，因此我們有理由相信蘋果會在第一時間為自己的產(chǎn)品使用這種最新的閃存技術。

　　目前，SanDisk和東芝已經(jīng)完成了今年向iPhone 6s、iPhone 6s Plus第一階段的供貨，而隨著新閃存技術的問世，我們將會在iPhone 7上看到兩家公司的新成果，同時未來的iPhone 7在存儲能力和數(shù)據(jù)傳輸速度上，也將大幅提升。（騰訊科技，原標題《iPhone 7閃存技術升級？提升速度與容量》）